3–7 Oct 2022
Asia/Novosibirsk timezone

Imрact of the dislocation density and recombination velocity on the transient cathodoluminescence intensity in GaN semiconductors analysis by the random walk on spheres algorithm

Speakers

Карл Карлович Сабельфельд (ИВМиМГ СО РАН) Анастасия Евгеньевна Киреева (ИВМиМГ СО РАН)
Секция конференции Численное статистическое моделирование и методы Монте-Карло

Primary authors

Presentation materials

There are no materials yet.