Speaker
Description
Работа посвящена разработке и тестированию алгоритма стохастического моделирования транспорта электронов в полупроводниковой гетероструктуре DA-pHEMT. Математическая постановка задачи транспорта электронного газа в гетероструктуре представлена в виде связанной системы уравнений Пуассона, Шредингера и кинетического уравнения Больцмана. Описан алгоритм решения данной системы уравнений, приведены формулы расчета вероятностей рассеяния и индикатрис рассеяния электронов на полярных оптических и междолинных фононах, а также на примесях (донорах и акцепторах). Математическая модель и алгоритм моделирование учитывают распределение электронов по энергетическим уровням в основной и боковых долинах. Проведен численный эксперимент по моделированию транспорта электронов в гетероструктуре AlGaAs - GaAs - AlGaAs - GaAs - InGaAs - GaAs - AlGaAs - GaAs - AlGaAs. Численно определено влияние процентного соотношения веществ In и Ga в составе слоя InGaAs на скорость горячих электронов в гетероструктуре.
| Секция конференции | Численное статистическое моделирование и методы Монте-Карло |
|---|
